9icnet为您提供由Wolfspeed，Inc.设计和生产的CGHV60040D-GP4，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。CGHV60040D-GP4参考价格为49.80200美元。Wolfspeed，Inc.CGHV60040D-GP4封装/规格：RF MOSFET HEMT 50V模具。您可以下载CGHV60040D-GP4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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CGHV40320D带有引脚细节，包括凝胶封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表注释中显示了裸裸片中使用的封装盒，该裸片提供GaN SiC等技术特性，晶体管类型设计为在HEMT中工作，以及320 W输出功率，该器件也可以用作4 GHz工作频率。此外，Vds漏极-源极击穿电压为50V，该器件提供N沟道晶体管极性。
CGHV59350F-TB是CGHV59350H的测试夹具，包括HEMT型，设计用于与CGHV5930F工具一起操作，用于评估，提供的内容如数据表注释所示，用于部分填充板-不包括主IC，提供产品功能，如演示板，包装设计用于批量工作，它的最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围是+85℃。此外，频率为5.2GHz~5.9GHz，该设备在CGHV59350中提供，用于相关产品，该设备具有用于CGHV59350F的说明功能的演示放大器电路。
CGHV59350F是射频JFET晶体管5.2-5.9GHz 350瓦增益典型值。10.5dB GaN，包括11dB增益，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，工作频率设计为5900 MHz，工作温度范围从-40 C到+85 C。该器件还可作为450 W输出功率使用。此外，封装为托盘，该器件为HEMT晶体管型，该器件具有125V的Vds漏极-源极击穿电压，Vgs栅极-源极间击穿电压为-10V 2V，Vgs第栅极-源阈值电压为-3V。
CGHV50200F是Cree制造的RF Mosfet HEMT 40V 1A 5GHz 11.8dB 200W 440217。是IC芯片的一部分，支持RF Mosfet HEMT 40V 1A 5GHz 11.8dB 200W 440217。
