9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH8301-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8301-TL-E价格参考0.25000美元。onsemi ECH8301-TL-E封装/规格：P沟道硅MOS FET。您可以下载ECH8301-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ECH8102-TL-H是双极晶体管-BJT BIP PNP 12A 30V，包括ECH8102系列，它们设计为使用卷轴封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如ECH-8，配置设计为单级工作，以及1.6 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，集电极-发射极电压VCEO Max为-30 V，该器件采用PNP晶体管极性，该器件的集电极-发射器饱和电压为-80 mV，集电极基极电压VCBO为-30 V；发射极基极电压VEBO为-6 V，最大直流集电极电流为-24 a，增益带宽乘积fT为140MHz，连续集电极电流为-12A，直流集电极基本增益hfe-Min为200。
ECH8301，带有SANYO制造的用户指南。ECH8301采用ECH8封装，是IC芯片的一部分。
ECH8301-TL，带有SANYO制造的电路图。ECH8301-TL采用TSSOP-8封装，是IC芯片的一部分。
