9icnet为您提供由onsemi设计和生产的VEC2402-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VEC2402-TL-E价格参考0.28000美元。onsemi VEC2402-TL-E包装/规格：NCH+NCH 4V驱动系列。您可以下载VEC2402-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VEC2315-TL-W是MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，数据表说明中显示了用于8-SMD、扁平引线的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为SOT-28FL/VEC8，该设备采用2 P通道配置，该设备具有2 P通道（双通道）FET型，最大功率为1W，晶体管类型为2 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为420pF@20V，FET特性为逻辑电平门，4V驱动，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，最大Id Vgs上的Rds为137 mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为2.6V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@10V，Pd功耗为900 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为36 ns 36 ns，上升时间为9.8 ns 9.8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V+/-20 V，Id连续漏极电流为-2.5 A 2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V-60 V，Vgs第栅极-源阈值电压为-2.6 V-2.6 V，Rds导通漏极-漏极电阻为194 m欧姆194 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65 ns 65 ns，典型导通延迟时间为6.4ns 6.4ns，Qg栅极电荷为11nC 11nC，正向跨导Min为3.9S 3.9S，信道模式为增强。
VEC2315-TL-H是MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE系列，包括-60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于2 P沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于P沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于VEC2315，以及137 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作1W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，设备采用VEC-8封装盒，设备具有2个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为-2.5A。
VEC2401-TL-E，带有ON制造的电路图。VEC2401_TL-E采用TSSOP-8封装，是IC芯片的一部分。
