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IRF3205ZSTRLPBF是MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg，包括卷筒封装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供170 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为67 ns，上升时间为95 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为110 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型导通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为76nC，正向跨导Min为71S。
IRF3205ZS是由is制造的MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK。IRF3205ZS可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 75V D2PAK、N沟道55V 75B（Tc）170W（Tc。
IRF3205ZSPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK。IRF3205ZSPBF有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH55V 75A-D2PAK，Trans-MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin（2+Tab）D2PAK。
IRF3205ZSTRRPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK。IRF3205ZSTRRPBF有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 75A-D2PAK。
