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MRF6S20010GNR1是RF MOSFET晶体管HV6 2GHZ 10W，包括MRF6S20010 N系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019330盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-270以及Si技术，其最大工作温度范围为+150℃，它的最低工作温度范围为-65℃，器件提供-0.5 V 12 V Vgs栅极-源极电压，器件具有68 V Vds漏极-源极击穿电压，晶体管极性为N沟道。
MRF6S20010NR1是RF MOSFET晶体管HV6 2GHZ 10W TO270-2，包括-0.5 V 12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于68 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.018679盎司，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于硅，以及MRF6S20010 N系列，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-270，该器件为SMD/SMT安装型，最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+150℃。
MRF6S21050L，电路图由FREESCALE制造。MRF6S21050L采用SMD封装，是RF FET的一部分。
MRF6S21050LR3是由FREESCALE制造的MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400。MRF6S21050LR3采用NI-400封装，是RF FET的一部分，支持MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400、RF MOSFET LDMOS 28V 450mA 2.16GHz 16dB 11.5W NI400。
