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MRF6S20010GNR1

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 频率: 2.17GHz 输出端功率: 10W 供应商设备包装: TO-270-2 GULL
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 524.45838 524.45838
500+ 506.06591 253032.95700
  • 库存: 201
  • 单价: ¥524.45839
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥524.46
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规格参数

  • 晶体管类别 LDMOS
  • 电压检测值 28伏
  • 噪声系数 -
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 增益 15.5分贝
  • 频率 2.17GHz
  • 部件状态 上次购买
  • 输出端功率 10W
  • 额定电压 68 V
  • 包装/外壳 至270BA
  • 供应商设备包装 TO-270-2 GULL
  • 电流检测值 130毫安

MRF6S20010GNR1 产品详情

MRF6S20010NR1和MRF6S20010 GNR1设计用于频率为1600至2200 MHz的A类或AB类通用应用。适用于模拟和数字调制以及多用途放大器应用。

特色

  • 2170 MHz时的典型双音性能:VDD=28伏,IDQ=130 mA,Pout=10瓦PEP功率增益:15.5 dB漏极效率:36%IMD:–34 dBc
  • 典型的2载波W-CDMA性能:VDD=28伏,IDQ=130 mA,Pout=1瓦平均值,全频段(2130–2170 MHz),信道带宽=3.84 MHz。标准杆数=8.5 dB@0.01%概率功率增益:15.5 dBDrain效率:15%IM3@10 MHz偏移:3.84 MHz信道带宽中为–47 dBc ACPR@5 MHz偏移:–49 dBc@3.84 MHz通道带宽
  • 典型的单载波N–CDMA性能:VDD=28伏,IDQ=130 mA,Pout=1瓦平均值,全频段(1930–1990 MHz),IS–95(导频、同步、寻呼、业务代码8至13)。信道带宽=1.2288 MHz。CCDF上标准杆数=9.8 dB@0.01%概率。功率增益:15.5 dB漏极效率:16%ACPR@885 kHz偏移=–60 dBc,30 kHz带宽
  • 典型GSM EDGE性能:VDD=28伏,IDQ=130 mA,Pout=4瓦平均值,全频段(1805–1880 MHz)功率增益:16 dB漏极效率:33%EVM:1.3%rms
  • 能够处理5:1 VSWR,@28 Vdc,2000 MHz,10 W CW输出功率
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 最多32 VDD操作合格
  • 集成ESD保护
  • 225°C塑料包装
  • 符合RoHS。
  • 在磁带和卷轴中。R1后缀=每24 mm、13英寸卷筒500个单位。
MRF6S20010GNR1所属分类:场效应射频晶体管,MRF6S20010GNR1 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRF6S20010GNR1价格参考¥524.458389,你可以下载 MRF6S20010GNR1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRF6S20010GNR1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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