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FDP8N50NZ是MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3，包括管封装，它们设计用于0.063493盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供139 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为80 ns，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-源极电阻为770mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为18nC，正向跨导Min为6.3S，沟道模式为增强。
FDPC1002S带有用户指南，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007327盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns 13 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns 38 ns，以及2 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为2 ns 5 ns，器件的漏极-源极电阻为7.3 mOhms，Qg栅极电荷为19 nC 60 nC，Pd功耗为1.6 W 2 W，封装为卷轴式，封装盒为PowerClip-33-8，通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，正向跨导最小值为97 S 231 S，下降时间为2 ns 4 ns，配置为双重。
FDP8896是MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于44 ns，提供Id连续漏极电流功能，如92 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，部件别名为FDP8896_NL，Pd功耗为80W，Rds漏极源极电阻为59mOhm，上升时间为103ns，系列为PowerTrench，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为9ns，单位重量为0.063493oz，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
FDP8880是MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB，包括管封装，它们设计为与TO-220-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作FDP8880_NL部件别名。此外，信道模式是增强型的，该器件以8 ns的典型开启延迟时间提供，该器件具有55 W的Pd功耗，Id连续漏极电流为54 a，下降时间为51 ns，典型关闭延迟时间为47 ns，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为20 V，Rds漏极-源极电阻为11.6毫欧，上升时间为107纳秒，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.063493盎司，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃。
