SQS966ENW-T1_GE3

Name: SQS966ENW-T1_GE3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7121313-SQS966ENW-T1_GE3
Price: 7.460187 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W双工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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500+	4.30213	2151.06900
1000+	3.39641	3396.41300
3000+	3.39641	10189.23900

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规格参数

部件状态可供货
场效应管特性标准
场效应管类型 2个N通道（双通道）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
漏源电压标 (Vdss) 60V
安装类别表面安装，可润湿侧翼
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.8nC @ 10V
漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
最大功率 27.8W（Tc）
包装/外壳 PowerPAK1212-8W双
供应商设备包装 PowerPAK1212-8W双
导通电阻 Rds(ON) 36毫欧姆 @ 1.25A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 572皮法 @ 25V

SQS966ENW-T1_GE3 产品详情

N沟道MOSFET，汽车SQ加固系列，Vishay半导体

这个平方米Vishay Semiconductor的MOSFET系列专为需要坚固和高可靠性的所有汽车应用而设计。

SQ坚固系列MOSFET的优点

•AEC-Q101合格
•结温高达+175°C
•低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术
•创新的节省空间包装选项

批准

AEC-Q101型

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SQSR-02H-1A-K	日本科学技术协会 (JST)		¥0.70329
SQSR-02H-1C-D	日本科学技术协会 (JST)		¥1.1241

SQS966ENW-T1_GE3所属分类：场效应晶体管阵列，SQS966ENW-T1_GE3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQS966ENW-T1_GE3价格参考￥7.460187，你可以下载 SQS966ENW-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQS966ENW-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！