9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR770DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR770DP-T1-GE3参考价格为1.23000美元。Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8。您可以下载SIR770DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIR770DP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIR698DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR698DP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为23W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为210pF@50V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为7.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为195 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为3.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为8nC@10V，Pd功耗为23W，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为230 mΩ，晶体管极性为N沟道。
SIR688DP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8。SIR688DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8、N沟道60V 60V（Tc）5.4W（Ta）、83W（Tc）表面安装PowerPAK？SO-8，Trans MOSFET N-CH 60V 29.2A 8引脚PowerPAK SO EP T/R。
SiR770DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR770DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
