9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4900DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4900DY-T1-GE3价格参考1.31000美元。Vishay Siliconix SI4900DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC。您可以下载SI4900DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4900DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4900DY E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为3.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为665pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.3A，最大Id Vgs的Rds为58mOhm@4.3A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为65 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为58 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是15ns 20ns，并且典型接通延迟时间是15 ns 10ns，并且沟道模式是增强。
SI4896DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为17 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有11 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为16.5 mOhms，Qg栅极电荷为34 nC，Pd功耗为3.1 W，部件别名为SI4896DY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SO-8，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为9.5 A，下降时间为31 ns，配置为单一。
SI4898DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4898DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
