9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7K23-80EX，在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7K23-80EX价格参考1.33000美元。Nexperia USA Inc.BUK7K23-80EX封装/规格：MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D。您可以下载BUK7K23-80EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如BUK7K23-80EX价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BUK7K18-40E带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.017870盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SO-8等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及2通道数量的通道，该设备也可以用作双配置。此外，晶体管类型为2N沟道，该器件以38W Pd功耗提供，该器件具有10ns的下降时间，上升时间为12.7ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds漏极源极电阻为15.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.9ns，典型接通延迟时间为6.2ns，Qg栅极电荷为11.8nC，沟道模式为增强。
BUK7K25-40E，115是MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与LFPAK56D供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如25 mOhm@5A，10V，Power Max设计为在32W下工作，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作SOT-1205，8-LFPAK56包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备提供表面安装型，该器件具有525pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为7.9nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id为25°C为27A。
BUK7K18-40EX带电路图，包括24.2A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于11.8nC@10V，以及808pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，功率最大值为38W，Rds On Max Id Vgs为19mOhm@10A，10V，供应商设备封装为LFPAK56D，技术为Si，Vgs th Max Id为4V@1mA。
