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IRF7905TRPBF

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A, 8.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌:
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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
场效应管特性逻辑电平门
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SO
场效应管类型 2个N通道（双通道）
最大功率 2W
制造厂商
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600皮法 @ 15V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.25V@25A.
漏源电流 (Id) @ 温度 7.8A, 8.9A
导通电阻 Rds(ON) 21.8欧姆@7.8A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V

IRF7905TRPBF 产品详情

N沟道功率MOSFET 30V，英飞凌

Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

符合RoHS
低RDS（打开）
PCB热阻低
与现有表面安装技术兼容
4.5V VGS时RDS低（ON）
极低栅极电荷
双N沟道MOSFET

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IRF7905TRPBF所属分类：场效应晶体管阵列，IRF7905TRPBF 由设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7905TRPBF价格参考￥2.462586，你可以下载 IRF7905TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7905TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！