9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SISF20DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SISF20DN-T1-GE3价格参考1.67000美元。Vishay Siliconix SISF20DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD。您可以下载SISF20DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SF20BG-T是DIODE GEN PURP 100V 2A DO15，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AC、DO-15、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-15等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为950mV@2A，该器件提供100V电压DC反向Vr Max，该器件具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为75pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
SF20CG-T是DIODE GEN PURP 150V 2A DO15，包括950mV@2A电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-15中使用的供应商设备包，该DO-15提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为35ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@150V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为75pF@4V，1MHz。
SF20AG-T是DIODE GEN PURP 50V 2A DO15，包括75pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供35ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-15，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为950mV@2A。
SF20D-9121，带有三菱制造的EDA/CAD模型。SF20D-9121采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
