9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7228DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7228DN-T1-GE3参考价格$43.094。Vishay Siliconix SI7228DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8。您可以下载SI7228DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7224DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7224ND-GE3的零件别名，该SI7224DEN-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为17.8W、23W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为570pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为35 mOhm@6.5A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14.5nC@10V，Pd功耗为2.5 W 2.6 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns 10ns，上升时间为12nS 10ns，Vgs栅极-源极电压为16V 20V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为27mOhms 22mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns15ns，典型导通延迟时间为12 ns 20ns，并且信道模式是增强。
SI7225DN-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7225DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7228DN，带有VHSHAY制造的电路图。SI7228DN在QFN封装中提供，是FET阵列的一部分。
