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FDS4935BZ

描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌:
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
制造厂商
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 2个P通道（双通道）
场效应管特性标准
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SOIC
最大功率 900mW (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@6.9A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1360皮法@15V
漏源电流 (Id) @ 温度 6.9A (Ta)

FDS4935BZ 产品详情

PowerTrench®双P沟道MOSFET，Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

–6.9安培，–30伏特
RDS（开启）=22 mΩ@VGS=–10 V
RDS（开启）=35 m@VGS=–4.5 V
适用于电池应用的扩展VGSS范围（–25V）
ESD保护二极管（注3）
用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
高功率和电流处理能力

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。

FDS4935BZ 相关器件

型号	制造商	描述	价格
FDS-312	乔纳德 (Jonard Tools)	FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM	¥202.43906
FDSM012P2	百通 (Belden)	FD M_D OS2 12F OFNP SU_3.	¥4.92517
FDSY006RF	百通 (Belden)	FD TO_CPE OS2 6F OFNR	¥22.09085
FDST012RF	百通 (Belden)	FD TO_PVC OS2 12F OFNR	¥23.39457
FDSY008RF	百通 (Belden)	FD OS2 TO_CPE 8F OFNR	¥24.481
FDST036RF	百通 (Belden)	FD TO_PVC OS2 36F OFNR	¥39.03923
FDSM006P2	百通 (Belden)	FD MD_LT OS2 6F OFNP NON_UNI	¥2.35438
FDSB006LB	百通 (Belden)	FD BO OS2 6F LSZH SU_2.0	¥17.02082
FDST004RF	百通 (Belden)	FD TO_PVC OS2 4F OFNR	¥17.2381
FDST024RF	百通 (Belden)	FD TO_PVC OS2 24F OFNR	¥31.14447

FDS4935BZ所属分类：场效应晶体管阵列，FDS4935BZ 由设计生产，可通过久芯网进行购买。FDS4935BZ价格参考￥3.259305，你可以下载 FDS4935BZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDS4935BZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！