9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7956DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7956DP-T1-E3参考价格为3.32000美元。Vishay Siliconix SI7956DP-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8。您可以下载SI7956DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si7956DP-T1-E3是MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si7956DP-E3的零件别名，该Si7956DP E3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为150V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.6A，最大Id Vgs上的Rds为105 mOhm@4.1A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为26nC@10V，Pd功耗为1.4W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为36纳秒，上升时间为36 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds导通-漏极电阻为105毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18 ns，并且典型的开启延迟时间是13ns，并且信道模式是增强。
SI7949DP-T1-E3是MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-60 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为8 ns，该器件还可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有PowerPAKR SO-8双电源器件封装，系列为TrenchFETR，上升时间为9ns，Rds On Max Id Vgs为64mOhm@5A，10V，Rds On Drain Source Resistance为64mohm，Power Max为1.5W，Pd功耗为1.5W。部件别名为SI7949DP-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8 Dual，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，Id连续漏极电流为3.2A，栅极电荷Qg Vgs为40nC@110V，FET类型为2 P通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为9ns，漏极至源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为3.2A。配置为双通道，通道模式为增强型。
SI7949DP-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8，包括双配置，它们设计为在3.2A电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于60V，提供FET功能，如逻辑电平门，FET类型设计为在2 P通道（双）中工作，以及40nC@10V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作3.2A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，通道数为2通道，其工作温度范围在-55℃~150℃（TJ），封装外壳为PowerPAKR SO-8 Dual，封装为Digi-ReelR Alternative封装，零件别名为SI7949DP-GE3，Pd功耗为1.5W，功率最大值为1.5W；Rds On漏极-源极电阻为64mOhm，Rds On Max Id Vgs为64mohm@5A，10V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR-SO-8 Dual-，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为2P沟道，单位重量为0.017870 oz，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Vgs栅极-源极电压为20 V，Vgsth最大Id为3V@250μA。
SI7956DP，带有SI制造的EDA/CAD模型。SI7956DP采用QFN-8封装，是FET阵列的一部分。
