9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD110900ASAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD110900ASAL价格参考6.62000美元。先进线性器件股份有限公司ALD110900ASAL封装/规格：MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC。您可以下载ALD110900ASAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD110900APAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP，包括EPADR、零阈值？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.032805盎司，具有通孔、，封装外壳设计用于8-DIP（0.300“，7.62mm）以及Si技术，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-PDIP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道）匹配对，最大功率为500mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极到源极电压Vdss为10.6V，输入电容Cis-Vds为2.5pF@5V，FET特性为标准，最大Id Vgs上的Rds为500 Ohm@4V，Vgs最大Id为10mV@1μA，Pd功耗为500 mW，其最大工作温度范围为+70 C，其最小工作温度范围为0℃，Vgs栅极-源极电压为10.6 V，Id连续漏极电流为12 mA，Vds漏极-源极击穿电压为10 V，Rds导通漏极-漏极电阻为500欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10 ns，典型接通延迟时间为10ns，并且正向跨导Min为0.0014 S，并且信道模式为耗尽。
ALD1108ESCL是MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC，包括1.01V@1μA Vgs th Max Id，它们设计为与16-SOIC供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于EPADR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如500 Ohm@5V，Power Max设计为600mW，以及管封装，该器件也可以用作16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有25pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET类型为4 N通道，匹配对，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为10V。
ALD1108EPCL是MOSFET 4N-CH 10V 16DIP，包括10V漏极到源极电压Vdss，它们设计为与标准FET功能一起工作，FET类型如数据表注释所示，用于4 N通道匹配对，提供输入电容Cis-Vds功能，如25pF@5V，安装类型设计为在通孔中工作，它的工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件也可以用作16-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒。此外，封装为管状，该器件的最大功率为600mW，该器件具有500欧姆@5V的Rds On Max Id Vgs，系列为EPADR，供应商器件封装为16-PDIP，Vgs th Max Id为1.01V@1μa。
