9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD210800SCL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD210800SCL价格参考7.02000美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD210800SCL封装/规格：MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC。您可以下载ALD210800SCL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD210800ASCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC，包括EPADR、零阈值？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.023492盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供4通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的16-SOIC，配置为四个双公共源，FET类型为4N通道，匹配对，最大功率为500mW，晶体管类型为4N-通道，漏极到源极电压Vdss为10.6V，输入电容Ciss Vds为15pF@5V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为80mA，最大Id Vgs上的Rds为25欧姆，Vgs最大Id为10mV@10μA，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，并且Id连续漏极电流为12mA，Vds漏极-源极击穿电压为10V，Rds导通漏极-电源电阻为25欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为10ds，沟道模式为增强。
ALD210800APCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP，包括10mV@10μA Vgs th Max Id，它们设计为在10 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.036156盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为10 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术是Si，该设备在16-PDIP供应商设备包中提供，该设备具有EPADR，零阈值？Rds On Max Id Vgs为25欧姆，Rds On Drain Source电阻为25欧姆；功率Max为500mW，Pd功耗为500mW，包装箱为16-DIP（0.300英寸，7.62mm），其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），通道数为4通道，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为0 C，最大工作温度范围+70 C，输入电容Ciss Vds为15pF@5V，Id连续漏极电流为50 mA，FET类型为4 N通道，匹配对，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为10.6V，电流连续漏极Id 25°C为80mA，配置为四路双公共源极，通道模式为增强型。
ALD210800PCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP，包括增强通道模式，它们设计用于四路双共源配置，电流连续漏极Id 25°C如数据表注释所示，用于80mA，提供漏极到源极电压Vdss功能，如10.6V，FET功能设计用于逻辑电平门，以及4 N通道，匹配对FET型，该器件也可以用作50 mA Id连续漏电流。此外，输入电容Ciss Vds为15pF@5V，其最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，通道数为4通道，其工作温度范围是0°C~70°C（TJ），包装箱为16-DIP（0.300“，7.62mm），包装为管，Pd功耗为500 mW，功率最大值为500mW，漏极-源极电阻Rds为25欧姆，最大Id Vgs Rds为5欧姆，系列为EPADR，零阈值？，供应商器件封装为16-PDIP，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为4N沟道。典型关断延迟时间为10ns，典型开启延迟时间为10ds，单位重量为0.036156oz，Vds漏极-源极击穿电压为10V，Vgs最大Id为20mV@10μA。
