9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7218DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7218DN-T1-GE3参考价格为0.904美元。Vishay Siliconix SI7218DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8。您可以下载SI7218DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7216DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7216DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7216DN-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为20.8W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为670pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为32 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为7 ns 5 ns，上升时间为142纳秒57纳秒，Vgs栅极-源极电压为20伏特，Id连续漏极电流为6.5安培，Vds漏极-源极击穿电压为40伏特，Rds导通漏极-漏极电阻为32毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16纳秒19纳秒，典型接通延迟时间为16ns 9纳秒，沟道模式为增强型。
Si7216DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns 9 ns，典型的关闭延迟时间设计用于16 ns 19 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为142 ns 57 ns，Rds On Max Id Vgs为32 mOhm@5A、10V，Rds On Drain Source电阻为32 mOhm，功率最大值为20.8W，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI7216DN-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装盒为PowerPAKR 1212-8 Dual，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-50 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为670pF@20V，Id连续漏极电流为6.5A，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，FET类型为2N通道（双通道），FET特性为标准，下降时间为7ns 5 ns，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为6A，配置为双通道，通道模式为增强型。
SI7218DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8，包括增强通道模式，它们设计用于双配置，电流连续漏极Id 25°C如数据表注释所示，用于24A，提供漏极到源极电压Vdss功能，如30V，下降时间设计用于10 ns，以及标准FET功能，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，栅极电荷Qg Vgs为17nC@10V，器件提供8 A Id连续漏极电流，器件具有700pF@15V输入电容Cis Vds，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，通道数为2通道，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为PowerPAKR 1212-8 Dual，封装为Digi-ReelR交替封装，零件别名为SI7218DN-E3，Pd功耗为2.6W，最大功率为23W，漏极电阻为25mOhm，Rds On Max Id Vgs为25mOhm@8A，10V，上升时间为12ns，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8 Dual，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型开启延迟时间为15ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs最大Id为3V@250μA。
