9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7224DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7224DN-T1-E3参考价格为18.41美元。Vishay Siliconix SI7224DN-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8。您可以下载SI7224DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si7224DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于Si7224DN-E3的零件别名，该Si7224DN-E3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8 Dual，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为17.8W、23W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为570pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为35 mOhm@6.5A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14.5nC@10V，Pd功耗为2.5 W 2.6 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns 10ns，上升时间为12nS 10ns，Vgs栅极-源极电压为16V 20V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为27mOhms 22mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns15ns，典型导通延迟时间为12 ns 20ns，并且信道模式是增强。
SI7222DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8，包括1.6V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR 1212-8双供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如42 mOhm@5.7A，10V，Power Max设计为17.8W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR 1212-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有700pF@220V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为29nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏极Id为6A。
SI7222DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8，包括6A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于29nC@10V，除了700pF@20V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用PowerPAKR 1212-8双封装外壳，该器件具有Digi-ReelR封装，功率最大值为17.8W，Rds On Max Id Vgs为42 mOhm@5.7A，10V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为PowerPAKR 1212-8 Dual，Vgs th Max Id为1.6V@250μA。
SI7224DN，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7224DN在QFN8封装中提供，是FET阵列的一部分。
