SI1016CX-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: SC-89(SOT-563F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 3.54902 | 3.54902 |
10+ | 2.88267 | 28.82674 |
100+ | 1.96282 | 196.28260 |
500+ | 1.47233 | 736.16850 |
1000+ | 1.10425 | 1104.25300 |
3000+ | 1.01219 | 3036.58500 |
6000+ | 0.95092 | 5705.52000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.54902
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.55
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 场效应管类型 N和P通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 43皮法 @ 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2摄氏度@4.5伏
- 供应商设备包装 SC-89(SOT-563F)
- 导通电阻 Rds(ON) 396毫欧姆 @ 500毫安, 4.5V
- 最大功率 220毫瓦
SI1016CX-T1-GE3 产品详情
双N/P沟道MOSFET,Vishay半导体
SI1016CX-T1-GE3所属分类:场效应晶体管阵列,SI1016CX-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI1016CX-T1-GE3价格参考¥3.549021,你可以下载 SI1016CX-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI1016CX-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...