9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7236DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7236DP-T1-E3参考价格为63.216美元。Vishay Siliconix SI7236DP-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO。您可以下载SI7236DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7234DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7234D-GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8双封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为46W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为5000pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A，最大Id Vgs上的Rds为3.4mOhm@20A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为120nC@10V，Pd功耗为3.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为25 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为12伏，Rds漏极源极电阻为4毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为100S，信道模式为增强。
SI-7235E，带有SANKEN制造的用户指南。SI-7235E在SIP包中提供，是模块的一部分。
SI7236DP，带有VISHAY制造的电路图。SI7236DP采用QFN封装，是FET阵列的一部分。
