9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM50H14FT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM50H14FT3G参考价格$85.93000。微芯片技术APTM50H14FT3G封装/规格：MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3。您可以下载APTM50H14FT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM50H10FT3G是MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3，包括散装封装，它们设计用于SP3封装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP33，以及4 N通道（H桥）FET类型，该设备也可以用作312W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供4367pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C时电流连续漏极Id为37A，最大Id Vgs的Rds为120 mOhm@18.5A、10V，Vgs最大Id为5V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为96nC@10V。
APTM50DUM35TG带有用户指南，包括5V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于39 mOhm@49.5A，10V，提供功率最大功能，如781W，包装设计用于散装，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供14000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有280nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N通道（双），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，25°C电流连续漏极Id为99A。
APTM50DUM38TG，带电路图，包括90A电流连续漏极Id 25°C，设计用于500V漏极至源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于246nC@10V，以及11200pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为694W，最大电流Vgs为45mOhm@45A，10V，供应商设备封装为SP4，最大电流为5V@5mA。
