9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDS6900S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS6900S参考价格为0.53000美元。其他FDS6900S封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载FDS6900S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS6900AS是MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC，包括PowerTrenchR、SyncFET？系列，它们被设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于FDS6900AS_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为900mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为600pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为6.9A、8.2A，最大Rds Id Vgs为27 mOhm@6.9A、10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为3ns，上升时间为4ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏电流为6.9A，Vds漏源击穿电压为30V，Rds漏源电阻为22mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是23ns，并且典型接通延迟时间是9ns，并且正向跨导Min是25S21S，并且沟道模式是增强。
FDS6900AS_NL和FAIRCHILD制造的用户指南。FDS6900AS_NL在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDS6900AS-NL，带有FAIRCH制造的电路图。FDS6900AS-NL采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。