9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7901EDN-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7901EDN-T1-GE3参考价格$1.75。Vishay Siliconix SI7901EDN-T1-GE3封装/规格:MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8。您可以下载SI7901EDN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7901EDN-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8,包括TrenchFETR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)封装,数据表说明中显示了用于PowerPAKR 1212-8 Dual的封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),安装类型设计用于表面安装,以及PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装,该器件也可以用作2P沟道(双)FET类型。此外,最大功率为1.3W,该器件提供20V漏极到源极电压Vdss,该器件具有FET功能的逻辑电平门,25°C的电流连续漏极Id为4.3A,最大Id Vgs的Rds为48 mOhm@6.3A,4.5V,Vgs最大Id为1V@800μa,栅极电荷Qg Vgs为18nC@4.5V。
SI7901DN-T1-E3,带有VISHAY制造的用户指南。SI7901DN-T1-E3采用QFN8封装,是IC芯片的一部分。
SI7901EDN-T1是由SILICONIX制造的Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。SI7901EDN-T1采用DFN封装,是FET阵列的一部分,支持Trans-MOSFET P-CH 20V 4.3A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。