9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7904DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7904DN-T1-E3参考价格为15.754美元。Vishay Siliconix SI7904DN-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8。您可以下载SI7904DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7904BDN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7904BDN-GE3的零件别名，该SI7904BDNV-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为17.8W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为860pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为30 mOhm@7.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为24nC@8V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns 5 ns，上升时间为60ns 15ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第th栅极-源阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型导通延迟时间为7ns 5ns，并且Qg栅极电荷为16nC，并且信道模式为增强。
SI7904DN，带有VISHAY制造的用户指南。SI7904DN在MLP封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI7904DN-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 20V 5.3A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。SI7904DN-T1采用QFN封装，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 20V 5.3A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。
