9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7905DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7905DN-T1-E3参考价格为22.666美元。Vishay Siliconix SI7905DN-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8。您可以下载SI7905DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si7905DN-T1-E3是MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于Si7905DN-E3的零件别名，该Si7905DN-E3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8 Dual，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 P通道（双重），最大功率为20.8W，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为880pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为11 ns 10 ns，上升时间为100ns 13ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为24ns 26ns，典型导通延迟时间为42ns 6ns，沟道模式为增强型。
SI7904DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8，包括1V@935μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如30 mOhm@7.7A，4.5V，Power Max设计为1.3W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作PowerPAKR 1212-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有15nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为5.3A。
SI7904DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8，包括5.3A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在15nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装盒为PowerPAKR 1212-8 Dual，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备的最大功率为1.3W，Rds On Max Id Vgs为30mOhm@7.7A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR11212-8 Dual，Vgs th Max Id为1V@935μa。
SI7904DN-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 20V 5.3A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。SI7904DN-T1采用QFN封装，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 20V 5.3A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。
