9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7909DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7909DN-T1-GE3参考价格为107.154美元。Vishay Siliconix SI7909DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8。您可以下载SI7909DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7905DN-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7905DN-1-GE3的零件别名，该SI7905DN-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 P通道（双重），最大功率为20.8W，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为880pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为11 ns 10 ns，上升时间为100ns 13ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为24ns 26ns，典型导通延迟时间为42ns 6ns，沟道模式为增强型。
Si7905DN-T1-E3是MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如42 ns 6 ns，典型的关闭延迟时间设计为24 ns 26 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为100 ns 13 ns，Rds On Max Id Vgs为60 mOhm@5A、10V，Rds On Drain Source电阻为60 mOhm，功率最大值为20.8W，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI7905DN-E3，包装为磁带和卷轴（TR），包装盒为PowerPAKR 1212-8 Dual，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-50 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为880pF@20V，Id连续漏极电流为5A，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V，FET类型为2 P通道（双通道），FET特性为标准，下降时间为11 ns 10 ns，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为6A，配置为双通道，通道模式为增强型。
SI7909DN-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8，包括5.3A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在24nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装盒为PowerPAKR 1212-8 Dual，设备采用磁带和卷轴（TR）包装，设备最大功率为1.3W，最大电流Rds为3.7mOhm@7.7A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包装为PowerPAKR11212-8 Dual，最大电流Vgs为1V@700μa。
