9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7925DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7925DN-T1-GE3参考价格为2.21美元。Vishay Siliconix SI7925DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8。您可以下载SI7925DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI7925DN-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7923DN-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，数据表注释中显示了SI7923DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7923DN-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8 Dual，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 P通道（双重），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.3A，最大Id Vgs的Rds为47mOhm@6.4A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极电阻为47mOhm，晶体管极性为P沟道。
SI7925DN-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如42 mOhm@6.5A，4.5V，Power Max设计为1.3W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为PowerPAKR 1212-8双封装外壳使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有12nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，25°C的电流连续漏电流Id为4.8A。
SI7925DN，带有SI制造的电路图。SI7925DN可在QFN1212-8封装中获得，是FET阵列的一部分。
