9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP57D5UV-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP57D5UV-7参考价格为3.762美元。Diodes Incorporated DMP57D5UV-7封装/规格:MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563。您可以下载DMP57D5UV-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP56D0UV-7带有引脚细节,包括DMP56系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000106盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供2通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的SOT-563,配置为双通道,FET类型为2 P通道(双通道),最大功率为400mW,晶体管类型为2 P-通道,漏极至源极电压Vdss为50V,输入电容Cis-Vds为50.54pF@25V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为160mA,最大Id Vgs上的Rds为6 Ohm@100mA,4V,Vgs最大Id为1.2V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为0.58nC@4V,Pd功耗为400mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为15 ns,上升时间为6.63ns,Vgs栅极-源极电压为8V,Id连续漏极电流为-160mA,Vds漏极-源极击穿电压为-50V,Vgs第栅极-源阈值电压为-1.2V,Rds导通漏极-漏极电阻为6欧姆,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为21.9ns,典型开启延迟时间为4.46ns,Qg栅极电荷为0.58nC,信道模式为增强。
DMP56D0UFB-7B和用户指南,包括-1.2 V Vgs th栅极-源极阈值电压,它们设计为在+/-8 V Vgs栅极-源电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于-50 V,提供典型的开启延迟时间功能,如4.46 ns,典型的关闭延迟时间设计为21.9 ns,该器件还可以用作Si技术。此外,该系列为DMP56,器件的上升时间为6.63 ns,器件的漏极-源极电阻为6欧姆,Qg栅极电荷为580 pC,Pd功耗为425 mW,封装为卷轴式,封装外壳为X1-DFN1006-3,安装类型为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-55 C,它的最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为-200 mA,正向跨导最小值为100 mS,下降时间为15 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
DMP57D5UFB-7是由DIODES制造的MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN。DMP57D5UFB-7采用3-UFDFN封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN、P沟道50V 200MA(Ta)425mW(Ta)表面安装3-DFN1006(1.0x0.6)、Trans MOSFET P-CH50V 0.2A汽车用3引脚DFN T/R。