9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7940DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7940DP-T1-E3参考价格为1.808美元。Vishay Siliconix SI7940DP-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8。您可以下载SI7940DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7938DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表中显示了用于SI7938DP GE3的零件别名，该SI7938DP-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为46W，晶体管类型为2 N-通道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2300pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A，最大Id Vgs上的Rds为5.8mOhm@18.5A、10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为65nC@10V，Pd功耗为46W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为15纳秒，上升时间为19纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为5.8毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40纳秒，典型导通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为21nC，正向跨导Min为105S，信道模式为增强。
SI7925DN-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如42 mOhm@6.5A，4.5V，Power Max设计为1.3W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为PowerPAKR 1212-8双封装外壳使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有12nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，25°C的电流连续漏电流Id为4.8A。
SI7940DP-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI7940DP-T1采用QFN封装，是FET阵列的一部分。
