9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7964DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7964DP-T1-GE3参考价格565.424美元。Vishay Siliconix SI7964DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8。您可以下载SI7964DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI7964DP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7962DP-T1-GE3是MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm@10V，包括卷筒包装，它们设计用于SI7962DP-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，该配置是双重的，该器件提供2 N沟道晶体管类型，该器件具有1.4 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，漏极-源极电阻Rds为17mOhms，晶体管极性为N沟道。
SI7964DP-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8，包括4.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SO-8双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如23 mOhm@9.6A，10V，Power Max设计为1.4W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SO-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有65nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为6.1A。
SI7964DP带有SI制造的电路图。SI7964DPQFN-8封装，是FET阵列的一部分。
