9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7980DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7980DP-T1-E3参考价格27.344美元。Vishay Siliconix SI7980DP-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8。您可以下载SI7980DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7973DP-T1-GE3是MOSFET 12V 12.8A 3.5W 15mohm@4.5V，包括卷筒包装，它们设计用于SI7973DP-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，该配置是双重的，该器件提供2 P沟道晶体管类型，该器件具有1.4 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为8.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，漏极-源极电阻Rds为15毫欧姆，晶体管极性为P沟道。
SI7970DP，带有VISHAY制造的用户指南。SI7970DP采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SI7970DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7970DP-T1-E3采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
