9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP1046UFDB-13,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP1046UFDB-13参考价格0.13175美元。Diodes Incorporated DMP1046UFDB-13封装/规格:MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN。您可以下载DMP1046UFDB-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如DMP1046UFDB-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
DMP1045U-7是MOSFET P-CH 12V 4A SOT23,包括DMP1045系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于SOT-23-3以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有800 mW的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为106.9 ns,上升时间为23.3 ns,Vgs栅源电压为+/-8 V,并且Id连续漏极电流为4A,Vds漏极-源极击穿电压为-12V,Vgs栅极-源极阈值电压为-0.55V,Rds导通漏极-漏极电阻为31mOhm,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为91.2ns,典型导通延迟时间为15.7ns,Qg栅极电荷为15.8nC,并且信道模式是增强。
DMP1045UFY4-7是MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3,包括12 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计用于1 P沟道晶体管类型,晶体管极性显示在数据表中,用于P沟道,提供Si等技术特性,系列设计用于DMP10,以及75 mOhms Rds漏极源极电阻,该装置也可以用作卷筒包装。此外,封装外壳为X2-DFN2015-3,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有安装型SMD/SMT,Id连续漏电流为5.5 a。
DMP1045U-7-F,电路图由Diodes制造。DMP1045U-7-F采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。