9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7983DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7983DP-T1-GE3参考价格为0.838美元。Vishay Siliconix SI7983DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8。您可以下载SI7983DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7980DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7980DP-GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8双封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商设备包为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（半桥），最大功率为19.8W、21.9W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1010pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为22mOhm@5A、10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为27nC@10V、Pd功耗为3.4W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为12 ns 10 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为11 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为22 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns 25ns，典型接通延迟时间为15ns 18ns，信道模式为增强。
SI7983DP-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8，包括1V@600μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SO-8双供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如17mOhm@12A，4.5V，Power Max设计为1.4W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SO-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有74nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为7.7A。
SI7983D，带有VISHAY制造的电路图。SI7983D采用QFN封装，是FET阵列的一部分。
