9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1026X-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1026X-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI1026X-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6。您可以下载SI1026X-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1026-B-GMR是IC RF TXRX+MCU ISM，包括TXRX+MCU类型，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作，包装箱如数据表注释所示，用于85-VFLGA暴露垫，提供240MHz~960MHz等频率特性，其工作温度范围为-40°C~85°C，灵敏度为-121dBm，该器件还可以用作1.8V~3.8V的电压源。此外，内存大小为32kB闪存，8.5kB RAM，该设备采用EZRadioPro协议，该设备的最大数据速率为256kbps，串行接口为I2C、SPI、UART，功率输出为13dBm（最大值），电流接收为18.5mA，RF系列标准为通用ISM，调制为FSK、GFSK、OOK，GPIO为53，电流发射为17mA~30mA。
SI1026X-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于SC-89-6供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于1.4 Ohm@500mA，10V，提供功率最大功能，如250mW，封装设计用于Digi ReelR，以及SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供30pF@25V输入电容Cis Vds，该器件具有0.6nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为305mA。
SI1026X-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6引脚SC-89 T/R。SI1026X-T1采用SOT363封装，是FET阵列的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH 60V 0.305A 6引脚SC-89 T/R。
