SI3993CDV-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 3.83873 | 3.83873 |
10+ | 3.28827 | 32.88277 |
100+ | 2.45389 | 245.38950 |
500+ | 1.92806 | 964.03000 |
1000+ | 1.48986 | 1489.86500 |
3000+ | 1.35840 | 4075.21800 |
6000+ | 1.31458 | 7887.51600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.83874
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.84
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 场效应管类型 2个P通道(双通道)
- 场效应管特性 标准
- 最大功率 1.4瓦
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.9A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8nC @ 10V
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 210华氏度@15伏
- 导通电阻 Rds(ON) 111毫欧姆@2.5A,10V
SI3993CDV-T1-GE3 产品详情
双P沟道MOSFET,Vishay半导体
SI3993CDV-T1-GE3所属分类:场效应晶体管阵列,SI3993CDV-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI3993CDV-T1-GE3价格参考¥3.838737,你可以下载 SI3993CDV-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI3993CDV-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...