9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4925BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4925BDY-T1-GE3参考价格为0.90750美元。Vishay Siliconix SI4925BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC。您可以下载SI4925BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4925BDY-T1-E3是MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于SI4925BDY-T1的零件别名，该SI4925DDY-T1提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为8-SO，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），功率最大值为1.1W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.3A，Rds最大值Id Vgs为25 mOhm@7.1A，10V，Vgs最大值Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，Pd功耗为1.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为34 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为25 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为9ns，信道模式为增强。
SI4925BDY-T1是科信公司生产的Trans-MOSFET P-CH 30V 5.3A 8引脚SOIC N T/R。SI4925BDY-T1在SOP08封装中提供，是FET阵列的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 30V 5.3A 8引脚SOIC N T/R。
SI4925BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4925BDY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
