9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD111910MAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD1111910MAL价格参考186.948美元。先进线性器件股份有限公司ALD111910MAL封装/规格：MOSFET 2N-CH 8MSOP。您可以下载ALD1111910MAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD11117SAL是MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能。供应商器件封装设计用于8-SOIC以及2 P通道（双）匹配对FET类型，该器件也可用于500mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为10.6V，该器件提供3pF@5V输入电容Cis Vds，该器件具有FET特性标准，最大Id Vgs上的Rds为1800 Ohm@5V，最大Id为1V@1μa。
ALD1116SAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC，包括1V@1μA Vgs和最大Id，它们设计为与8-SOIC供应商器件包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于500 Ohm@5V，提供功率最大特性，如500mW，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供3pF@5V输入电容Cis-Vds，该器件具有2 N通道（双）匹配对FET类型，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为10.6V。
ALD11117PAL是MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP，包括10.6V漏极到源极电压Vdss，它们设计为与标准FET功能一起工作，FET类型如数据表注释所示，用于2 P通道（双）匹配对，提供输入电容Cis-Vds功能，如3pF@5V，安装类型设计为在通孔中工作，它的工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件也可以用作8-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒。此外，封装为管式，该器件的最大功率为500mW，该器件具有1800欧姆@5V的Rds On Max Id Vgs，供应商器件封装为8-PDIP，Vgs th Max Id为1V@1μa。
