9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4963BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4963BDY-T1-GE3参考价格为0.90750美元。Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC。您可以下载SI4963BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如SI4963BDY-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI4963BDY-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计用于SI4963BDY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为1.1W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.9A，最大Id Vgs的Rds为32 mOhm@6.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为40 ns，上升时间为40纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为32 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为30ns，信道模式为增强。
SI4963BDY-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SI4963BDY-T1在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI4963BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4963BDY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
