9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5935CDC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5935CDC-T1-GE3参考价格为0.58000美元。Vishay Siliconix SI5935CDC-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8。您可以下载SI5935CDC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI5935CDC-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI5935CDC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI5935CDC E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及8-SMD扁平引线封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为3.1W，晶体管类型为2 P-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为455pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@3.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@5V，Pd功耗为1.3W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为32ns，上升时间为32s，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为3.1A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，并且Rds漏极-源极电阻为100毫欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25纳秒，典型接通延迟时间为10纳秒，沟道模式为增强。
SI5933DL，带有XX制造的用户指南。SI5933DL采用XX封装，是IC芯片的一部分。
SI5935CDC，电路图由89K制造。SI5935CDC提供1206-8封装，是FET阵列的一部分。
