该器件是一种互补的N沟道和P沟道功率MOSFET,使用STripFET II(P沟道)和STripMOSFET V(N沟道)技术开发。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻和崎岖的雪崩特性。
特色
- 传导损耗降低
- 开关损耗减少
- 低阈值驱动
- 自动表面安装组件的标准外形
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.18207 | 13.18207 |
2500+ | 7.10057 | 17751.44250 |
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该器件是一种互补的N沟道和P沟道功率MOSFET,使用STripFET II(P沟道)和STripMOSFET V(N沟道)技术开发。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻和崎岖的雪崩特性。
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