9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4936ADY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4936ADY-T1-GE3价格参考1.05600美元。Vishay Siliconix SI4936ADY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC。您可以下载SI4936ADY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4936ADY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表中显示了SI4936ADY-E3中使用的零件别名，该SI4936ADY-E3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为8-SO，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为1.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.4A，最大Id Vgs的Rds为36 mOhm@5.9A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为1.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为14 ns，上升时间为14纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为36 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为6ns，信道模式为增强。
SI4936ADY-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SI4936ADY-T1在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI4936ADY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4936ADY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
