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PMDPB70XPE，115是MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于6-DFN2020（2x2），除了2 P通道（双）FET类型外，该器件还可以用作515mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供600pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3A，最大Id Vgs的Rds为79 mOhm@2A，4.5V，Vgs最大Id为1.25V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为7.5nC@4.5V。
PMDPB70XP，115是MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-HUSON（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于87 mOhm@2.9A，4.5V，提供功率最大功能，如490mW，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供680pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有7.8nC@5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为2.9A。
PMDPB70EN，115是MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN，包括3.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于4.5nC@10V，除了130pF@15V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用6-UDFN暴露焊盘封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，功率最大值为510mW，Rds On Max Id Vgs为57 mOhm@3.5A，10V，供应商器件封装为6-DFN2020（2x2），Vgsth最大Id为2.5V@250μA。
