9icnet为您提供NXP USA Inc.设计和生产的PMDPB65UP，115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMDPB65UP，115价格参考值0.20万美元。NXP USA Inc.PMDPB65UP，115封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118。您可以下载PMDPB65UP，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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PMDPB58UPE，115是MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于6-HUSON（2x2），除了2 P通道（双）FET类型外，该器件还可以用作515mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供804pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.6A，最大Id Vgs的Rds为67mOhm@2A，4.5V，Vgs th最大Id为950mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为9.5nC@4.5V。
PMDPB58UPE，带有NXP制造的用户指南。PMDPB58UPE在DFN2020-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
PMDPB65UP，带有NXP制造的电路图。PMDPB65UP在SOT1118封装中提供，是FET阵列的一部分。
