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PMGD780SN，115是MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6SSOP，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSSOP供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，最大功率为410mW，该器件提供60V漏极到源极电压Vdss，该器件具有23pF@30V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为490mA，最大Id Vgs上的Rds为920mOhm@300mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为1.05nC@10V。
PMGD780SN和NXP制造的用户指南。PMGD780SN在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
pmgd8000ln，电路图由nxp制造。pmgd8000ln在sot-363包中提供，是FET阵列的一部分。
