描述
STS4DNF60L是双N通道
STripFETTM功率MOSFET采用STMicroelectronics第二代独特的“单一特征尺寸”条形工艺实现。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特征
■ 标准外形,便于自动表面安装装配
■ 低阈值驱动器
应用
- 切换应用程序
(图片:引线/示意图)
起订量: 1
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描述
STS4DNF60L是双N通道
STripFETTM功率MOSFET采用STMicroelectronics第二代独特的“单一特征尺寸”条形工艺实现。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特征
■ 标准外形,便于自动表面安装装配
■ 低阈值驱动器
应用
(图片:引线/示意图)
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