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STS4DNF30L

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥5.83778
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.84
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规格参数

  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A
  • 最大功率 2W
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9nC @ 10V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 330皮法 @ 25V
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 2A, 10V

STS4DNF30L 产品详情

描述

STS4DNF60L是双N通道

STripFETTM功率MOSFET采用STMicroelectronics第二代独特的“单一特征尺寸”条形工艺实现。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。

特征

■ 标准外形,便于自动表面安装装配

■ 低阈值驱动器

应用

  • 切换应用程序


(图片:引线/示意图)

STS4DNF30L所属分类:场效应晶体管阵列,STS4DNF30L 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STS4DNF30L价格参考¥5.837777,你可以下载 STS4DNF30L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STS4DNF30L规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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