9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS1DNF20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS1DNF20参考价格为0.94美元。STMicroelectronics STS1DNF20封装/规格：MOSFET N-CH 8SOIC。您可以下载STS1DNF20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS1DNC45是MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC，包括SuperMESH？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），功率最大值为1.6W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为450V，输入电容Cis-Vds为160pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为400mA，最大Id Vgs上的Rds为4.5 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3.7V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@10V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，下降时间为4 ns，上升时间为4纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为400 mA，Vds漏极-源极击穿电压为450 V，Rds漏极源极电阻为4.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型开启延迟时间为6.7ns，Qg栅极电荷为7nC，信道模式为增强。
STS1DN45K3是MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC，包括4.5V@50μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于SuperMESH3？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如3.8 Ohm@500mA，10V，Power Max设计为1.3W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有150pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为450V，25°C的电流连续漏极Id为500mA。
STS1C1S250带有ST制造的电路图。STS1C1S1S250采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
