9icnet为您提供由NXP USA Inc.设计和生产的PMGD400UN，115，现场在9icnet销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMGD400UN，115参考价格0.83美元。NXP USA Inc.PMGD400UN，115封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP。您可以下载PMGD400UN，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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PMGD290XN，115是MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6SSOP，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSSOP供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，最大功率为410mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有34pF@20V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为860mA，最大Id Vgs上的Rds为350mOhm@200mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.72nC@4.5V。
PMGD370XN是MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSOP，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如440mOhm@200mA，4.5V，Power Max设计为410mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件具有37pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为0.65nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为740mA。
PMGD290XN，带有NXP制造的电路图。PMGD290XN在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
