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PMGD290UCEAX是MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为6-TSSOP，该设备为1 N通道1 P通道配置，该设备具有FET型N和P通道，最大功率为280mW，晶体管类型为1 N信道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为83pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为725mA，500mA，最大Id Vgs为380 mOhm@500mA，4.5V，Vgs最大Id为1.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.68nC@4.5V，Pd功耗为990 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns 72 ns，上升时间为4 ns 30 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为725 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第栅极-源阈值电压为0.75 V-0.8 V，Rds漏极源极电阻为1.8欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为86 ns 80 ns，典型接通延迟时间为6ns 18ns，Qg栅极电荷为0.45nC 0.76nC，正向跨导最小值为1.6S 610mS，信道模式为增强。
PMGD290XN，115是MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSOP，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如350mOhm@200mA，4.5V，Power Max设计为410mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件具有34pF@20V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为0.72nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为860mA。
PMGD370XN是MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6SSOP，包括740mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在0.65nC@4.5V下工作，除了37pF@25V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有Digi-ReelR替代封装，最大功率为410mW，最大Id Vgs为440 mOhm@200mA、4.5V，系列是TrenchMOS？，供应商设备包为6-TSSOP，Vgs th Max Id为1.5V@250μA。
PMGD290XN，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PMGD290XN在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
